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半导体大事追踪:李强签署国务院令公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》;长鑫存储增资至约3139亿

发布时间:2026-08-04 14:45:01    浏览:

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半导体大事追踪:李强签署国务院令公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》;长鑫存储增资至约3139亿(图1)

  近期半导体领域动态密集:国务院修订集成电路布图设计保护条例,强化专有权保护与创新激励;韩国单层NAND产品7月平均售价环比上涨35%创历史新高,TrendForce预计第三季度PC DRAM价格将因供应短缺环比上涨15%至20%;中信证券看好先进封装中玻璃基板的应用前景;中微公司预计上半年净利润同比增长282%至311%,长鑫存储注册资本增至约313.9亿元,铠侠计划年内量产下一代AI NAND产品。

  国务院总理李强日前签署国务院令,公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》(以下简称《条例》),自2026年10月15日起施行。《条例》旨在保护集成电路布图设计专有权,鼓励集成电路技术创新,促进科学技术发展。《条例》共6章54条,修订的主要内容如下。一是明确总体要求。规定集成电路布图设计保护工作应当贯彻党和国家知识产权战略部署,扩展保护范围,强调诚实信用。二是完善申请、审查程序。规制虚假申请,细化材料要求,完善驳回、撤销程序,增加权利恢复程序。三是加强专有权保护。明确权利范围界定标准,加大侵权赔偿力度。四是促进布图设计运用。加强公共服务,明确奖酬措施,完善转让、许可、出质要求,规范共有人权利行使。 (新华社)

  据报道,韩国行业数据显示,传统动态随机存取存储器(DRAM)和NAND闪存产品的平均价格在7月份创下月度历史新高,这得益于对人工智能(AI)的强劲需求。根据行业追踪机构DRAMeXchange的数据,基准DRAM产品的PC固定合约平均价格较上月上涨14.3%,达到24美元,创下自2016年6月该追踪器开始汇总数据以来的最高水平。数据显示,NAND闪存价格也持续上涨,上个月基准产品的平均价格突破了30美元大关。单层NAND产品大幅上涨,其平均销售价格较上月上涨35%,原因是内存供应商优先考虑高层3D NAND和先进制造工艺的产能,以应对AI相关需求。

  市场研究公司TrendForce预测,由于供应短缺,第三季度PCDRAM的固定交易价格将比上一季度上涨15%至20%。该公司指出,随着云服务提供商(CSP)对服务器内存的需求增加,内存制造商计划明年减少PCDRAM的供应。

  中信证券研报表示,持续看好先进封装将成为未来支撑高端芯片性能维持高斜率升级的重要路径,而玻璃基板则有望成为解决当前先进封装大尺寸化、高密高速升级、产出效率等瓶颈的重要工艺,有望进入加速成熟/放量阶段,看好其未来的市场前景。其中玻璃基载板渗透趋势明确、增长弹性高,建议重点关注产业链投资机会,同时玻璃中介层、玻璃载体/玻璃桥等领域的亦存在较大增长机会。

  摩根大通策略师认为,随着市场表现向更多板块扩散,科技股或人工智能相关股票下半年不太可能是市场回报的主要驱动力。由Mislav Matejka带领的团队表示,动量交易的抛售可能大部分已经结束,半导体股目前已接近超卖水平该团队在报告中写道:“由于每股收益动能依然向上,这应有助于相关股票企稳”。不过,策略师预计市场表现将继续向更多板块扩散,并重申,由于地缘政治局势紧张,建议投资者逢低买入。小摩还预计,美联储将“尽可能保持宽松”,从而推动债券收益率下降或美元走弱,而这两种情况都将为股市提供支撑。

  华泰证券研报指出,当前科技行情的核心矛盾在于其交易底是否构筑完成,华泰证券认为现阶段更接近“交易底初现”,判断的支撑主要来自于:1.调整空间已较充分,主线回撤达到典型高弹性方向的超跌区间;2.境内外杠杆交易型资金已完成一定出清,杠杆资金回吐二季度全部增量,美股对冲基金和韩股杠杆资金也已从极端位置收缩;3.但市场近期卖盘抛压仍偏强,尚未形成主要增量。趋势性反弹的关键窗口在8月下旬,届时中报、英伟达财报以及反弹过程中的赎回压力将共同决定科技能否形成新一轮主升。配置上,红利继续承担底仓,科技反弹优先围绕原主线中业绩确定性较高的半导体设备等展开,非主线则关注中报改善的方向,如券商、创新药等。

  中微公司(688012.SH)公告称,预计2026年半年度归属于母公司所有者的净利润为27亿元到29亿元,同比增长282.48%到310.81%,营业收入同比增长约34.89%。公司以公允价值计量且其变动计入当期损益的对外股权投资于2026年上半年产生公允价值变动收益和投资收益合计约19.82亿元,较2025年上半年的1.68亿元增加约18.15亿元。公司持续加大研发创新力度,自主开发的各类新产品对标国际先进同类设备技术水准,多款机型经客户端验证,关键性能指标达到国际先进水平,部分指标优于海外标配设备。小财注:公司Q2净利润预计17.7亿-19.7亿,Q1净利润9.3亿,据此计算,Q2净利润预计环比增长90%-111%。

  昊华科技在互动平台表示,近半年来,公司PTFE系列产品产销保持平衡,产销率维持在高位,市场需求较为稳定。在价格方面,受上游原材料成本上升等因素影响,公司PTFE产品销售价格有所上涨。

  长飞光纤(601869.SH)公告称,公司子公司长飞资本拟作为有限合伙人,出资1.7亿元参与设立长飞江城智能创业投资基金,基金规模5亿元,重点投资人工智能、高端制造、半导体与集成电路等领域。

  公开资料显示,近日,北京恒渡科技有限公司成立,法定代表人为张立新,经营范围包含:集成电路设计;集成电路芯片及产品销售;集成电路销售;电子元器件批发;电子元器件零售等。股权数据显示,该公司由万通发展旗下北京数渡信息科技有限公司全资持股。

  长电科技海外财资中心(Finance and Treasury Centre,FTC)通过新加坡经济发展局(EDB)审核,正式获批设立;公司的海外司库管理平台历经半年建设同步成功上线。依托新设立的海外财资中心,长电科技将集中开展资金、融资、结算和分析等业务,统筹海外经营主体的财资管理职能,进一步提升全球资金的集中化、精细化管理水平和运营效率。

  天眼查显示,近日,长鑫存储技术有限公司发生工商变更,注册资本由约238.9亿人民币增至约313.9亿人民币,增幅约31%。该公司成立于2017年11月,法定代表人为吴丽影,经营范围包含集成电路设计、集成电路芯片及产品制造等,由长鑫科技集团股份有限公司全资持股。

  13、高盛:上调三星电子目标价至49万韩元,预期存储器需求将大幅超越供给

  高盛发表研报指,三星电子第二季营业利润符合预期,该行上调其2026至2028年每股盈利预测约2%,并将12个月目标价由48万韩元上调至49万韩元。该行预期存储器需求将大幅超越供给,2027年差距将扩大,2028年供应仍将偏紧。高盛指出,该公司与主要数据中心客户签订长期协议,将提供较佳盈利能见度及下行保护。此外,该公司目标成为AI存储器市场领导者,HBM4预计2026年下半年占HBM收入逾60%,并预期股东回报有显著上行空间。该股目前以2027年预测市盈率3.1倍及市账率1.2倍交易,股东回报率接近50%。

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